Дефекты алмаза подтвердили теорию кристаллического напряжения
Слушать новость
Японские исследователи впервые напрямую картировали компоненты поля напряжения вокруг атомного дефекта в структуре алмаза. Команда под руководством Токуюки Тэрадзи использовала азотно-вакансионные центры.
Группа ученых под руководством Токуюки Тэрадзи из Национального института материаловедения в Японии впервые успешно картировала компоненты поля механического напряжения вокруг атомного дефекта в алмазе.
Достижение стало возможным благодаря уникальным свойствам азотно-вакансионных центров, чьи спиновые состояния реагируют на внешнее напряжение в зависимости от их пространственной ориентации в решетке.
Полученные результаты открывают новые возможности для наноразмерного контроля материалов и подтверждают давние теоретические модели физики твердого тела, разработанные восемь десятилетий назад.
Краткая выжимка фактов в соответствии со ст. 15 Директивы ЕС об авторском праве. Полный текст доступен в первоисточнике.
Перевод и выжимка выполнены искусственным интеллектом (Gemini Flash Lite) согласно ст. 50 EU AI Act и Директиве ЕС об авторском праве.