Новый полупроводник установил рекорд ширины запрещенной зоны
Слушать новость
Исследователи из Корнельского университета под руководством Даррелла Шлома создали инновационную полупроводниковую пленку. Данное достижение открывает путь к созданию более компактной и эффективной силовой электроники.
Ученые под руководством Даррелла Шлома из Корнельского университета опубликовали в журнале Nature результаты исследования о создании тонких пленок оксида алюминия и галлия с добавлением кремния.
Необходимость разработки была вызвана тем, что с увеличением ширины запрещенной зоны в полупроводниках становится крайне сложно контролировать уровень их электропроводности.
Успешное преодоление этого технологического барьера позволит инженерам проектировать микросхемы, способные стабильно работать при значительно более высоких напряжениях.
Краткая выжимка фактов в соответствии со ст. 15 Директивы ЕС об авторском праве. Полный текст доступен в первоисточнике.
Перевод и выжимка выполнены искусственным интеллектом (Gemini Flash Lite) согласно ст. 50 EU AI Act и Директиве ЕС об авторском праве.